电子束蒸发用钨坩埚
电子束蒸发用钨坩埚是指用于电子束蒸发（Electron Beam Evaporation）镀膜设备中的高温蒸发容器，可在高真空环境下承载金属、氧化物及高熔点材料，并在电子束轰击加热条件下实现稳定蒸发，为薄膜沉积提供高纯、稳定的材料来源。
钨坩埚采用高纯钨材料（W≥99.95%）制备，通过粉末冶金烧结与精密加工工艺成型，适用于高端电子束蒸发与功能薄膜制备系统。
电子束蒸发为什么使用钨坩埚？
电子束蒸发工艺中的蒸发容器需要长期承受高能电子束局部加热与高温热冲击，因此材料必须具备极高的熔点、优良的高温强度以及稳定的真空服役能力。中钨智造钨坩埚具有以下特性，满足电子束蒸发应用对蒸发容器提出的要求：
（1）耐高温：钨熔点约3410℃，适用于高熔点蒸发材料环境；
（2）低蒸气压：在高真空环境中挥发较低，有助于降低镀膜污染风险；
（3）高温强度高：在局部高温电子束轰击条件下仍保持结构稳定；
（4）抗热震性能良好：适用于快速升温与周期性热循环工况；
（5）导热性能稳定：有助于维持蒸发区域温度均匀性，提高蒸发稳定性；
（6）材料纯度高：可减少杂质引入，提高薄膜纯净度与沉积质量。
钨坩埚在电子束蒸发中的应用场景
（1）半导体薄膜沉积（导电层、功能层、电极层）；
（2）光学镀膜（增透膜、反射膜、滤光膜）；
（3）金属蒸发（Al、Au、Ag、Ti等）；
（4）高熔点氧化物蒸发沉积；
（5）OLED（Organic Light Emitting Diode）功能层蒸镀；
（6）高端功能涂层与科研薄膜制备。
中钨智造钨坩埚的规格
（1）纯度：≥99.95%
（2）密度：17.8~18.5 g/cm³
（3）外径：10~300mm，可定制
（4）高度：10~400mm，可定制
（5）壁厚：0.5~20mm，可定制
（6）表面状态：车削、磨光、超声清洗、高温净化
中钨智造（CTIA GROUP）深耕钨坩埚领域30余年，可根据电子束蒸发源结构与工艺需求，对坩埚尺寸设计、壁厚分布及热场匹配进行系统优化，实现从材料制备到精密加工的一体化解决方案。
如有任何钨坩埚的设计、生产、需求、询价等问题，请联系制造商：中钨智造（厦门）科技有限公司
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